Name: BSZ180P03NS3EGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ180P03NS3EGATMA1TR-ND
Price: 0.91 USD
Availability: InStock

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BSZ180P03NS3EGATMA1
Número de produto da DigiKey	BSZ180P03NS3EGATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) BSZ180P03NS3EGATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) BSZ180P03NS3EGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSZ180P03NS3EGATMA1
Descrição	MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Tempo de espera previsto do fabricante	52 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 9A (Ta), 39,5A (Tc) 2,1W (Ta), 40W (Tc) Montagem em superfície PG-TSDSON-8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSZ180P03NS3EGATMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	9A (Ta), 39,5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	18mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,1V a 48µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2220 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,1W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TSDSON-8
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Número base de produto	BSZ180