BSZ130N03MSGATMA1 Infineon Technologies | FET simples, MOSFETs

BSZ130N03MSGATMA1
Número de produto da DigiKey	BSZ130N03MSGATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) BSZ130N03MSGATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) BSZ130N03MSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSZ130N03MSGATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 9A (Ta), 35A (Tc) 2,1W (Ta), 25W (Tc) Montagem em superfície PG-TSDSON-8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSZ130N03MSGATMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	9A (Ta), 35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	11,5mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1300 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TSDSON-8
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Número base de produto	BSZ130

BSZ130N03MSGATMA1