BSS169IXTSA1 Infineon Technologies | FET simples, MOSFETs

BSS169IXTSA1
Número de produto da DigiKey	448-BSS169IXTSA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-BSS169IXTSA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-BSS169IXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSS169IXTSA1
Descrição	MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N, modo de depleção 100 V 190mA (Ta) 360mW (Ta) Montagem em superfície PG-SOT-23-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSS169IXTSA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N, modo de depleção
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	190mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	0V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	12Ohm @ 50mA, 0V
Vgs(th) (máx.) para Id	1,8V a 50µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	2.1 nC @ 7 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	51 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	360mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-SOT-23-3
Pacote / Invólucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

BSS169IXTSA1