Name: BSO613SPVGXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSO613SPVGXUMA1TR-ND
Price: 1.56 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

BSO613SPVGXUMA1
Número de produto da DigiKey	448-BSO613SPVGXUMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-BSO613SPVGXUMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-BSO613SPVGXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSO613SPVGXUMA1
Descrição	MOSFET P-CH 8-SOIC
Tempo de espera previsto do fabricante	10 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 3,44A (Ta) 2,5W (Ta) Montagem em superfície PG-DSO-8-6
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSO613SPVGXUMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	SIPMOS®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	3,44A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	130mOhm a 3,44A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	875 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,5W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-DSO-8-6
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Número base de produto	BSO613