BSO130P03SHXUMA1 Infineon Technologies | FET simples, MOSFETs

BSO130P03SHXUMA1
Número de produto da DigiKey	BSO130P03SHXUMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) BSO130P03SHXUMA1CT-ND - Fita cortada (CT) BSO130P03SHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSO130P03SHXUMA1
Descrição	MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 9,2A (Ta) 1,56W (Ta) Montagem em superfície PG-DSO-8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSO130P03SHXUMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	9,2A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	13mOhm a 11,7A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,2V a 140µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3520 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,56W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-DSO-8
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Número base de produto	BSO130

BSO130P03SHXUMA1