BSC123N10LSGATMA1 Infineon Technologies | FET simples, MOSFETs

BSC123N10LSGATMA1
Número de produto da DigiKey	BSC123N10LSGATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) BSC123N10LSGATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) BSC123N10LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSC123N10LSGATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 10,6A (Ta), 71A (Tc) 114W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSC123N10LSGATMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	10,6A (Ta), 71A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	12,3mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,4V a 72µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	68 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	4900 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	114W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TDSON-8-1
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Número base de produto	BSC123

BSC123N10LSGATMA1