BSC082N10LSGATMA1 Infineon Technologies | FET simples, MOSFETs

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BSC082N10LSGATMA1
Número de produto da DigiKey	BSC082N10LSGATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) BSC082N10LSGATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) BSC082N10LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSC082N10LSGATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 13,8A (Ta), 100A (Tc) 156W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSC082N10LSGATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,4V a 110µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 104 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 7400 pF @ 50 V
Part Status Obsoleto	Dissipação de potência (máx.) 156W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TDSON-8-1
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 13,8A (Ta), 100A (Tc)	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto BSC082
Rds on (máx.) para Id, Vgs 8,2mOhm a 100A, 10V

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Classificação de exportação e ambiental

Recursos adicionais

Substitutos (7)

Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
BSC070N10LS5ATMA1	Infineon Technologies	3.912	448-BSC070N10LS5ATMA1CT-ND	$ 1,69000	Recomendado pelo fabricante
CSD19533Q5A	Texas Instruments	292	296-37479-1-ND	$ 2,39000	Similar
CSD19533Q5AT	Texas Instruments	101	296-44472-1-ND	$ 3,22000	Similar
FDMS86101	onsemi	14.265	FDMS86101CT-ND	$ 3,19000	Similar
FDMS86103L	onsemi	0	FDMS86103LCT-ND	$ 3,90000	Similar

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