Name: BSC028N06NSTATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC028N06NSTATMA1TR-ND
Price: 2.95 USD
Availability: InStock

BSC028N06NSTATMA1
Número de produto da DigiKey	BSC028N06NSTATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) BSC028N06NSTATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) BSC028N06NSTATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSC028N06NSTATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 24A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 100W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8-7
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSC028N06NSTATMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Última compra
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	24A (Ta), 100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2,8mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,3V a 50µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3375 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TDSON-8-7
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Número base de produto	BSC028

BSC028N06NSTATMA1