Name: BSC011N03LSTATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC011N03LSTATMA1TR-ND
Price: 3.02 USD
Availability: InStock

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BSC011N03LSTATMA1
Número de produto da DigiKey	BSC011N03LSTATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) BSC011N03LSTATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) BSC011N03LSTATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSC011N03LSTATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 39A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 115W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8 FL
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Não para novos designs
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	39A (Ta), 100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,1mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	48 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	6300 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3W (Ta), 115W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TDSON-8 FL
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Número base de produto	BSC011