AUIRFS3107-7P Infineon Technologies | Produtos semicondutores discretos

AUIRFS3107-7P está obsoleto e não é mais fabricado.

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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

AUIRFS3107-7P
Número de produto da DigiKey	AUIRFS3107-7P-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	AUIRFS3107-7P
Descrição	MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 75 V 240A (Tc) 370W (Tc) Montagem em superfície D2PAK (7 condutores)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	HEXFET®
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	75 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	240A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2,6mOhm a 160A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	240 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	9200 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	370W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	D2PAK (7 condutores)
Pacote / Invólucro	TO-263-7, D2PAK (6 condutores + aba)