Name: AIMBG75R016M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG75R016M1HXTMA1TR-ND
Price: 21.38 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

AIMBG75R016M1HXTMA1
Número de produto da DigiKey	448-AIMBG75R016M1HXTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-AIMBG75R016M1HXTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-AIMBG75R016M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	AIMBG75R016M1HXTMA1
Descrição	SICFET N-CH 750V 98A TO-263
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 750 V 98A (Tc) 384W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-7-12
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 81 nC @ 18 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) +25V, -10V
Séries CoolSiC™	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2869 pF @ 500 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 384W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia SiCFET (carboneto de silício)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 750 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 98A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO263-7-12
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 20V	Pacote / Invólucro TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA
Rds on (máx.) para Id, Vgs 15mOhm a 41,5A, 20V	Número base de produto AIMBG75
Vgs(th) (máx.) para Id 5,6V a 14,9mA