Name: G2K2P10S2E
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G2K2P10S2ETR-ND
Price: 1.17 USD
Availability: InStock

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G2K2P10S2E
Número de produto da DigiKey	3141-G2K2P10S2ETR-ND - Fita e carretel (TR) 3141-G2K2P10S2ECT-ND - Fita cortada (CT) 3141-G2K2P10S2EDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de produto do fabricante	G2K2P10S2E
Descrição	MOSFET 2P-CH 100V 3.5A 8SOP
Tempo de espera previsto do fabricante	8 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 100V 3,5A (Tc) 3,1W (Tc) Montagem em superfície 8-SOP
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Goford Semiconductor
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Configuração	2 canais P (duplo)
Característica FET	-
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	3,5A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	200mOhm a 3A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	23nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1623pF a 50V
Potência - Máx.	3,1W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SOP
Número base de produto	G2K2P