Canal P 100 V 10A (Tc) 31W (Tc) Montagem em superfície 8-DFN (3,15x3,05)
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G2K2P10D3E

Número de produto da DigiKey
3141-G2K2P10D3ETR-ND - Fita e carretel (TR)
3141-G2K2P10D3ECT-ND - Fita cortada (CT)
3141-G2K2P10D3EDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Goford Semiconductor
Número de produto do fabricante
G2K2P10D3E
Descrição
MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
Tempo de espera previsto do fabricante
8 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal P 100 V 10A (Tc) 31W (Tc) Montagem em superfície 8-DFN (3,15x3,05)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Goford Semiconductor
Séries
TrenchFET®
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal P
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
10A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
210mOhm a -6A, -10V
Vgs(th) (máx.) para Id
2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
1668 pF @ 50 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
31W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
8-DFN (3,15x3,05)
Pacote / Invólucro
PowerVDFN-8
Perguntas e respostas sobre o produto

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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 1,01000$ 1,01
10$ 0,62900$ 6,29
100$ 0,41020$ 41,02
500$ 0,31624$ 158,12
1.000$ 0,28596$ 285,96
2.000$ 0,26047$ 520,94
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
5.000$ 0,23288$ 1.164,40
10.000$ 0,21582$ 2.158,20
15.000$ 0,20714$ 3.107,10
25.000$ 0,20250$ 5.062,50
Embalagem padrão do fabricante