Name: G1K3N10G
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G1K3N10GTR-ND
Price: 0.76 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

G1K3N10G
Número de produto da DigiKey	3141-G1K3N10GTR-ND - Fita e carretel (TR) 3141-G1K3N10GCT-ND - Fita cortada (CT) 3141-G1K3N10GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de produto do fabricante	G1K3N10G
Descrição	N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
Tempo de espera previsto do fabricante	8 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 5A (Tc) 1,5W (Tc) Montagem em superfície SOT-89
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 130mOhm a 5A, 10V
Fabricante Goford Semiconductor	Vgs(th) (máx.) para Id 2V a 250µA
Séries TrenchFET®	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 20 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 644 pF @ 50 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 1,5W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 5A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido SOT-89
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro TO-243AA