Name: G080P06M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G080P06MTR-ND
Price: 2.7 USD
Availability: InStock

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G080P06M
Número de produto da DigiKey	3141-G080P06MTR-ND - Fita e carretel (TR) 3141-G080P06MCT-ND - Fita cortada (CT) 3141-G080P06MDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de produto do fabricante	G080P06M
Descrição	P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Tempo de espera previsto do fabricante	8 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 195A (Tc) 294W (Tc) Montagem em superfície TO-263
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Goford Semiconductor
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	195A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	7,5mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	186 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	15870 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	294W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB