FQP3N50C-F080 onsemi | Produtos semicondutores discretos

FQP3N50C-F080
Número de produto da DigiKey	FQP3N50C-F080OS-ND
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FQP3N50C-F080
Descrição	MOSFET N-CH 500V 1.8A TO220-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 500 V 1,8A (Tc) 62W (Tc) Furo passante TO-220-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FQP3N50C-F080 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	500 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	1,8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2,5Ohm a 1,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	365 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	62W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220-3
Pacote / Invólucro	TO-220-3
Número base de produto	FQP3

FQP3N50C-F080