Name: DI7A6N10SQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI7A6N10SQTR-ND
Price: 1.34 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

DI7A6N10SQ
Número de produto da DigiKey	4878-DI7A6N10SQTR-ND - Fita e carretel (TR) 4878-DI7A6N10SQCT-ND - Fita cortada (CT) 4878-DI7A6N10SQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diotec Semiconductor
Número de produto do fabricante	DI7A6N10SQ
Descrição	MOSFET N-CH 100V 7.6A 8-SOIC
Tempo de espera previsto do fabricante	10 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 7,6A (Ta) 2,5W (Ta) Montagem em superfície 8-SO
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	DI7A6N10SQ Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 22 nC @ 10 V
Fabricante Diotec Semiconductor	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1650 pF @ 25 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 2,5W (Ta)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 7,6A (Ta)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Invólucro do dispositivo fornecido 8-SO
Rds on (máx.) para Id, Vgs 20mOhm a 7,5A, 10V	Pacote / Invólucro 8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA

Relatar erro de informações do produto

Documentos e mídia

Classificação de exportação e ambiental

Recursos adicionais

Em estoque: 3.858

Verifique se há estoque adicional de entrada

Quantidade

Todos os preços estão em USD

Fita cortada (CT) & Digi-Reel®

* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.

Fita e carretel (TR)

Embalagem padrão do fabricante

DI7A6N10SQ