Name: DI2A2N100D1K
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI2A2N100D1KTR-ND
Price: 1.98 USD
Availability: InStock

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DI2A2N100D1K
Número de produto da DigiKey	4878-DI2A2N100D1KTR-ND - Fita e carretel (TR) 4878-DI2A2N100D1KCT-ND - Fita cortada (CT) 4878-DI2A2N100D1KDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diotec Semiconductor
Número de produto do fabricante	DI2A2N100D1K
Descrição	MOSFET N-CH 1000V 2.2A TO-252-3
Tempo de espera previsto do fabricante	8 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1000 V 2,2A (Tc) 30W (Tc) Montagem em superfície TO-252 (DPAK)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	DI2A2N100D1K Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diotec Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1000 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	2,2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	6,8Ohm a 1,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	510 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	30W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-252 (DPAK)
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63