Name: DMTH43M8LFGQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH43M8LFGQ-13TR-ND
Price: 1.14 USD
Availability: InStock

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DMTH43M8LFGQ-13
Número de produto da DigiKey	31-DMTH43M8LFGQ-13TR-ND - Fita e carretel (TR) 31-DMTH43M8LFGQ-13CT-ND - Fita cortada (CT) 31-DMTH43M8LFGQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMTH43M8LFGQ-13
Descrição	MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 24A (Ta), 100A (Tc) 2,62W (Ta), 65,2W (Tc) Montagem em superfície POWERDI3333-8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	DMTH43M8LFGQ-13 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	24A (Ta), 100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	3mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	40.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2798 pF @ 20 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,62W (Ta), 65,2W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	POWERDI3333-8
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-8
Número base de produto	DMTH43