Name: DMTH10H1M5STTW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H1M5STTW-13TR-ND
Price: 5.83 USD
Availability: InStock

Novo produto

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DMTH10H1M5STTW-13
Número de produto da DigiKey	31-DMTH10H1M5STTW-13TR-ND - Fita e carretel (TR) 31-DMTH10H1M5STTW-13CT-ND - Fita cortada (CT) 31-DMTH10H1M5STTW-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMTH10H1M5STTW-13
Descrição	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 386A (Tc) 4,92W (Ta), 535,7W (Tc) Montagem em superfície PowerDI1015-16
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	386A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,7mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	214 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	13039 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	4,92W (Ta), 535,7W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PowerDI1015-16
Pacote / Invólucro	Módulo PowerSOP-16