Name: DMTH10H032SPSWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H032SPSWQ-13-ND
Price: 1.1 USD
Availability: InStock

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DMTH10H032SPSWQ-13
Número de produto da DigiKey	31-DMTH10H032SPSWQ-13-ND
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMTH10H032SPSWQ-13
Descrição	MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 25A (Tc) 3,2W (Ta), 38W (Tc) Montagem em superfície, flanco impregnável PowerDI5060-8 (tipo UX)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Granel
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	25A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	32mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	544 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,2W (Ta), 38W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície, flanco impregnável
Invólucro do dispositivo fornecido	PowerDI5060-8 (tipo UX)
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Número base de produto	DMTH10

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