DMTH10H032LFVWQ-7 está disponível para compra, mas não é estocado normalmente.
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Equivalente paramétrico


Diodes Incorporated
Em estoque: 0
Preço unitário : $ 0,95000
Ficha técnica

Equivalente paramétrico


Diodes Incorporated
Em estoque: 825
Preço unitário : $ 0,95000
Ficha técnica

Equivalente paramétrico


Diodes Incorporated
Em estoque: 2.850
Preço unitário : $ 1,03000
Ficha técnica
Canal N 100 V 26A (Tc) 1,7W (Ta) Montagem em superfície, flanco impregnável PowerDI3333-8 (SWP) tipo UX
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
Canal N 100 V 26A (Tc) 1,7W (Ta) Montagem em superfície, flanco impregnável PowerDI3333-8 (SWP) tipo UX
DMTH43M8LFVW-7

DMTH10H032LFVWQ-7

Número de produto da DigiKey
31-DMTH10H032LFVWQ-7-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
DMTH10H032LFVWQ-7
Descrição
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
Tempo de espera previsto do fabricante
40 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 100 V 26A (Tc) 1,7W (Ta) Montagem em superfície, flanco impregnável PowerDI3333-8 (SWP) tipo UX
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Séries
-
Embalagem
Granel
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
30mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
11.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
683 pF @ 50 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
1,7W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
Automotivo
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Montagem em superfície, flanco impregnável
Invólucro do dispositivo fornecido
PowerDI3333-8 (SWP) tipo UX
Pacote / Invólucro
Número base de produto
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Granel
Quantidade Preço unitário Preço total
2.000$ 0,26893$ 537,86
Embalagem padrão do fabricante