Name: DMT10H025SSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H025SSS-13DITR-ND
Price: 1.01 USD
Availability: InStock

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DMT10H025SSS-13
Número de produto da DigiKey	DMT10H025SSS-13DITR-ND - Fita e carretel (TR) DMT10H025SSS-13DICT-ND - Fita cortada (CT) DMT10H025SSS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMT10H025SSS-13
Descrição	MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 7,4A (Ta) 1,4W (Ta) Montagem em superfície 8-SO
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	7,4A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	23mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	21.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1544 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,4W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SO
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Número base de produto	DMT10