Name: DMT10H015LCG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H015LCG-7TR-ND
Price: 1.83 USD
Availability: InStock

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DMT10H015LCG-7
Número de produto da DigiKey	31-DMT10H015LCG-7TR-ND - Fita e carretel (TR) 31-DMT10H015LCG-7CT-ND - Fita cortada (CT) 31-DMT10H015LCG-7DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMT10H015LCG-7
Descrição	MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 9,4A (Ta), 34A (Tc) 1W (Ta) Montagem em superfície V-DFN3333-8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	DMT10H015LCG-7 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3,5V a 250µA
Fabricante Diodes Incorporated	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 33.3 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1871 pF @ 50 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 1W (Ta)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 155°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 9,4A (Ta), 34A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido V-DFN3333-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro PowerVDFN-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 15mOhm a 20A, 10V	Número base de produto DMT10