DMN3732UFB4-7 Diodes Incorporated | FET simples, MOSFETs

DMN3732UFB4-7
Número de produto da DigiKey	31-DMN3732UFB4-7TR-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMN3732UFB4-7
Descrição	MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 1,3A (Ta) 490mW (Ta) Montagem em superfície X2-DFN1006-3
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR)
Part Status	Descontinuado na DigiKey
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	1,3A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	460mOhm a 200mA, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	950mV a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	0.9 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	40.8 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	490mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	X2-DFN1006-3
Pacote / Invólucro	3-XFDFN
Número base de produto	DMN3732

DMN3732UFB4-7