Equivalente paramétrico
Equivalente paramétrico
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DMN3009SFGQ-13 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | DMN3009SFGQ-13-ND - Fita e carretel (TR) |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | DMN3009SFGQ-13 |
Descrição | MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 40 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 30 V 16A (Ta), 45A (Tc) 900mW (Ta) Montagem em superfície POWERDI3333-8 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 42 nC @ 10 V |
Fabricante | Vgs (máx.) ±20V |
Embalagem Fita e carretel (TR) | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2000 pF @ 15 V |
Part Status Ativo | Dissipação de potência (máx.) 900mW (Ta) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Grau Automotivo |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V | Qualificação AEC-Q101 |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V | Invólucro do dispositivo fornecido POWERDI3333-8 |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 5,5mOhm a 20A, 10V | Pacote / Invólucro |
Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 250µA | Número base de produto |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN3009SFG-13 | Diodes Incorporated | 0 | DMN3009SFG-13-ND | $ 0,29215 | Equivalente paramétrico |
| DMN3009SFG-7 | Diodes Incorporated | 2.913 | DMN3009SFG-7DICT-ND | $ 1,27000 | Equivalente paramétrico |
| DMN3009SFGQ-7 | Diodes Incorporated | 623 | DMN3009SFGQ-7DICT-ND | $ 1,66000 | Equivalente paramétrico |
| TPH6R003NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 2.390 | TPH6R003NLLQCT-ND | $ 1,83000 | Similar |
| TPN6R303NC,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 2.688 | TPN6R303NCLQCT-ND | $ 1,69000 | Similar |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3.000 | $ 0,39831 | $ 1.194,93 |
| 6.000 | $ 0,37031 | $ 2.221,86 |
| 9.000 | $ 0,36925 | $ 3.323,25 |




