Name: DMN2009USS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2009USS-13TR-ND
Price: 1.06 USD
Availability: InStock

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DMN2009USS-13
Número de produto da DigiKey	31-DMN2009USS-13TR-ND - Fita e carretel (TR) 31-DMN2009USS-13CT-ND - Fita cortada (CT) 31-DMN2009USS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMN2009USS-13
Descrição	MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Tempo de espera previsto do fabricante	40 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 20 V 12,1A (Ta) 1,4W Montagem em superfície 8-SO
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 1,2V a 250µA
Fabricante Diodes Incorporated	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 34 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±12V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1706 pF @ 10 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 1,4W
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 20 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 12,1A (Ta)	Invólucro do dispositivo fornecido 8-SO
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2,5V, 10V	Pacote / Invólucro 8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Rds on (máx.) para Id, Vgs 8mOhm a 12A, 10V	Número base de produto DMN2009

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Fita e carretel (TR)

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DMN2009USS-13