Name: DMN13H750S-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN13H750S-7DITR-ND
Price: 0.84 USD
Availability: InStock

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DMN13H750S-7
Número de produto da DigiKey	DMN13H750S-7DITR-ND - Fita e carretel (TR) DMN13H750S-7DICT-ND - Fita cortada (CT) DMN13H750S-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMN13H750S-7
Descrição	MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 130 V 1A (Ta) 770mW (Ta) Montagem em superfície SOT-23-3
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	130 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	1A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	750mOhm a 2A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	5.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	231 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	770mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SOT-23-3
Pacote / Invólucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número base de produto	DMN13