Name: DMG3415UFY4Q-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG3415UFY4Q-7DITR-ND
Price: 0.67 USD
Availability: InStock

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DMG3415UFY4Q-7
Número de produto da DigiKey	DMG3415UFY4Q-7DITR-ND - Fita e carretel (TR) DMG3415UFY4Q-7DICT-ND - Fita cortada (CT) DMG3415UFY4Q-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMG3415UFY4Q-7
Descrição	MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 16 V 2,5A (Ta) 650mW (Ta) Montagem em superfície X2-DFN2015-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	DMG3415UFY4Q-7 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	16 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	2,5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	39mOhm a 4A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	10 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	282 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	650mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	X2-DFN2015-3
Pacote / Invólucro	3-XDFN
Número base de produto	DMG3415