CDBJSC8650-G Comchip Technology | Produtos semicondutores discretos

CDBJSC8650-G está obsoleto e não é mais fabricado.

Substitutos disponíveis:

Equivalente paramétrico

Bourns Inc.

Em estoque: 0

Preço unitário : $ 3,38934

Equivalente paramétrico

onsemi

Em estoque: 423

Preço unitário : $ 2,86000

Equivalente paramétrico

Infineon Technologies

Em estoque: 400

Preço unitário : $ 3,78000

Equivalente paramétrico

Panjit International Inc.

Em estoque: 1.995

Preço unitário : $ 3,64000

Equivalente paramétrico

onsemi

Em estoque: 27.243

Preço unitário : $ 4,11000

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

CDBJSC8650-G
Número de produto da DigiKey	CDBJSC8650-G-ND
Fabricante	Comchip Technology
Número de produto do fabricante	CDBJSC8650-G
Descrição	DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2
Referência do cliente
Descrição detalhada	Diodo 650 V 8A Furo passante TO-220-2
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Diodos Retificadores Diodos individuais
Fabricante	Comchip Technology
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensão - Reversa CC (Vr) (máx.)	650 V
Corrente - Média retificada (Io)	8A
Tensão - Direta (Vf) (máx.) para If	1.7 V @ 8 A
Velocidade	Sem tempo de recuperação> 500mA (Io)
Tempo de recuperação reversa (trr)	0 ns
Corrente - Fuga reversa para Vr	100 µA @ 650 V
Capacitância para Vr, F	560pF a 0V, 1MHz
Tipo de montagem	Furo passante
Pacote / Invólucro	TO-220-2
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220-2
Temperatura de operação - Junção	-55°C a 175°C
Número base de produto	CDBJSC8650