CDBJSC101200-G Comchip Technology | Produtos semicondutores discretos

CDBJSC101200-G está obsoleto e não é mais fabricado.

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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

CDBJSC101200-G
Número de produto da DigiKey	CDBJSC101200-G-ND
Fabricante	Comchip Technology
Número de produto do fabricante	CDBJSC101200-G
Descrição	DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220
Referência do cliente
Descrição detalhada	Diodo 1200 V 10A Furo passante TO-220-2
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Diodos Retificadores Diodos individuais
Fabricante	Comchip Technology
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensão - Reversa CC (Vr) (máx.)	1200 V
Corrente - Média retificada (Io)	10A
Tensão - Direta (Vf) (máx.) para If	1.7 V @ 10 A
Velocidade	Sem tempo de recuperação> 500mA (Io)
Tempo de recuperação reversa (trr)	0 ns
Corrente - Fuga reversa para Vr	100 µA @ 1200 V
Capacitância para Vr, F	780pF a 0V, 1MHz
Tipo de montagem	Furo passante
Pacote / Invólucro	TO-220-2
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220-2
Temperatura de operação - Junção	-55°C a 175°C
Número base de produto	CDBJSC101200