AOT8N65 Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Produtos semicondutores discretos

AOT8N65 está obsoleto e não é mais fabricado.

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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

AOT8N65
Número de produto da DigiKey	AOT8N65-ND
Fabricante	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Número de produto do fabricante	AOT8N65
Descrição	MOSFET N-CH 650V 8A TO220
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 8A (Tc) 208W (Tc) Furo passante TO-220
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,15Ohm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1400 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	208W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220
Pacote / Invólucro	TO-220-3
Número base de produto	AOT8