MOSFET MaxSiC™

Os MOSFETs de carbeto de silício (SiC) MaxSiC^TM da Vishay apresentam uma tecnologia própria que combina uma compensação eficiente de ambos os desempenhos da resistência de condução e do chaveamento, além de fornecer um dispositivo robusto que apresenta uma pequena capacitância parasita, melhor tempo para suportar o curto-circuito (SCWT), melhor imunidade ao shoot-through e um campo elétrico competitivo do óxido de porta.

Estes MOSFETs de SiC oferecem uma figura de mérito competitiva para lidar com as demandas do mercado nas aplicações em crescimento, como inversores industriais para acionamento de motores, conversão de energia fotovoltaica (PV) e sistemas de armazenamento, carregadores na placa, estações de recarga, servidores (datacenters) e fontes de alimentação ininterrupta (UPS).