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MOSFETs ger. V TrenchFET
Os MOSFETs de 80 V, 100 V e 150 V da Vishay apresentam FOM muito baixa do RDS a Qg
Os MOSFETs de potência ger. V da Vishay, tecnologia TrenchFET®, fornecem maior densidade de potência e eficiência para ambas topologias isoladas e não isoladas. A resistência de saturação baixíssima, a operação a alta temperatura até +175°C e o invólucro PowerPAK® com economia de espaço da Vishay promovem a confiabilidade ao nível da placa com construção de ligação sem fio. Esta série é 100% testada para RG e UIS, com conformidade RoHS e livre de halogênio.
Características
- FOM muito baixa do RDS a Qg
- Ajustado para a FOM mais baixa do RDS a QOSS
Aplicações
- Retificação síncrona
- Comutações do lado primário
- Conversores CC/CC
- Microinversores solares
- Comutações para acionamentos de motor
- Comutações de bateria e carga
- Acionamentos de motores industriais
- Carregadores de bateria
Gen V TrenchFET MOSFETs
| Imagem | Número de peça do fabricante | Descrição | Tensão dreno-fonte (Vdss) | Available Quantity | Preço | Ver detalhes | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | SIDR5802EP-T1-RE3 | N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET | 80 V | 5859 - Immediate | $3.57 | Ver detalhes |
|  | SIR5802DP-T1-RE3 | N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE | 80 V | 6136 - Immediate | $2.62 | Ver detalhes |
| | SIR5102DP-T1-RE3 | N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW | 100 V | 4528 - Immediate | $3.73 | Ver detalhes |
| | SIDR5102EP-T1-RE3 | N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE | 100 V | 5610 - Immediate | $3.65 | Ver detalhes |
| | SIR578DP-T1-RE3 | N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW | 150 V | 4051 - Immediate | $2.98 | Ver detalhes |
| | SIDR578EP-T1-RE3 | N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE | 150 V | 6336 - Immediate | $3.93 | Ver detalhes |
Published: 2023-10-16
Brasil