FET simples, MOSFETs

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Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
Vgs(th) (máx.) para Id
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
Vgs (máx.)
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
Característica FET
Dissipação de potência (máx.)
Temperatura de operação
Grau
Qualificação
Tipo de montagem
Invólucro do dispositivo fornecido
Pacote / Invólucro
988
Em estoque
1 : $ 3,06000
Tubo
-
Tubo
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
100 V
120A (Tc)
10V
4,5mOhm a 75A, 10V
4V a 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
9620 pF @ 50 V
-
370W (Tc)
-55°C a 175°C (TJ)
-
-
Furo passante
TO-220AB
TO-220-3
IRFB4110
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
UMW
884
Em estoque
1 : $ 2,84000
Tubo
*
Tubo
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
100 V
120A (Tc)
10V
4,5mOhm a 75A, 10V
4V a 250µA
-
±20V
-
-
370W (Tc)
-55°C a 155°C (TJ)
-
-
Furo passante
TO-220AB
TO-220-3
IRFB4127PBFXKMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Infineon Technologies
6.713
Em estoque
1 : $ 3,06000
Tubo
Tubo
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
100 V
120A (Tc)
10V
4,5mOhm a 75A, 10V
4V a 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
9620 pF @ 50 V
-
370W (Tc)
-55°C a 175°C (TJ)
-
-
Furo passante
TO-220AB
TO-220-3
IRFB4127PBFXKMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Infineon Technologies
0
Em estoque
Obsoleto
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
100 V
120A (Tc)
10V
4,5mOhm a 75A, 10V
4V a 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
9620 pF @ 50 V
-
370W (Tc)
-55°C a 175°C (TJ)
-
-
Furo passante
TO-220AB
TO-220-3
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FET simples, MOSFETs


Transistores de efeito de campo simples (FETs) e transistores de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor (MOSFETs) são tipos de transistores usados para amplificar ou comutar sinais eletrônicos.

Um FET simples opera controlando o fluxo de corrente elétrica entre os terminais da fonte e do dreno, por meio de um campo elétrico gerado por uma tensão aplicada ao terminal de porta. A principal vantagem dos FETs é sua alta impedância de entrada, o que os torna ideais para uso em amplificação de sinais e circuitos analógicos. Eles são amplamente utilizados em aplicações como amplificadores, osciladores e estágios de buffer em circuitos eletrônicos.

Os MOSFETs, um subtipo de FETs, têm um terminal de porta isolado do canal por uma fina camada de óxido, o que melhora seu desempenho e os torna altamente eficientes. Os MOSFETs podem ser categorizados em dois tipos:

Os MOSFETs são preferidos em muitas aplicações devido ao seu baixo consumo de energia, chaveamento de alta velocidade e capacidade de lidar com grandes correntes e tensões. Eles são cruciais em circuitos digitais e analógicos, incluindo fontes de alimentação, acionadores de motor e aplicações de radiofrequência.

A operação dos MOSFETs pode ser dividida em dois modos:

  • Modo de enriquecimento: neste modo, o MOSFET normalmente está desligado quando a tensão da porta-fonte é zero. Para ligar é necessária uma tensão de porta-fonte positiva (para canal n) ou uma tensão de porta-fonte negativa (para canal p).
  • Modo de depleção: neste modo, o MOSFET normalmente está ligado quando a tensão da porta-fonte é zero. Aplicar uma tensão de porta-fonte de polaridade oposta pode desligá-lo.

Os MOSFETs oferecem diversas vantagens, como:

  1. Alta eficiência: eles consomem muito pouca energia e podem alternar estados rapidamente, o que os torna altamente eficientes para aplicações de gerenciamento de energia.
  2. Baixa resistência de condução: eles têm baixa resistência quando ligados, o que minimiza a perda de potência e a geração de calor.
  3. Alta impedância de entrada: a estrutura de porta isolada resulta em impedância de entrada extremamente alta, tornando-os ideais para amplificação de sinais de alta impedância.

Em resumo, FETs simples, particularmente MOSFETs, são componentes fundamentais na eletrônica moderna, conhecidos por sua eficiência, velocidade e versatilidade em uma ampla gama de aplicações, desde amplificação de sinal de baixa potência até chaveamento e controle de alta potência.