Name: IPB017N10N5LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB017N10N5LFATMA1TR-ND
Price: 7.33 USD
Availability: InStock

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IPB017N10N5LFATMA1
Número de produto da DigiKey	IPB017N10N5LFATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPB017N10N5LFATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPB017N10N5LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB017N10N5LFATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Tempo de espera previsto do fabricante	43 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 180A (Tc) 313W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-7
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPB017N10N5LFATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4,1V a 270µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 195 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™ 5	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 840 pF @ 50 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 313W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO263-7
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 180A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-263-7, D2PAK (6 condutores + aba)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto IPB017
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,7mOhm a 100A, 10V