USD

Preço e aquisição
10.979 Em estoque
Pode ser enviado imediatamente
 

Quantidade

Adicionar à lista

Todos os preços estão em USD.
Redução no preço Preço unitário Preço total
1 3.15000 $3.15
10 2.82700 $28.27
25 2.67280 $66.82
100 2.31660 $231.66
500 1.97208 $986.04
1,000 1.66320 $1,663.20

Envie uma solicitação de cotação em quantidades superiores àquelas exibidas.

Embalagem alternativa
  • Fita e carretel (TR)  : 917-1078-2-ND
  • Quantidade mínima: 2.500
  • QUANTIDADE DISPONÍVEL: 10.000 - Imediato
  • Preço unitário: R$ 1,62000
  • Digi-Reel®  : 917-1078-6-ND
  • Quantidade mínima: 1
  • QUANTIDADE DISPONÍVEL: 10.979 - Imediato
  • Preço unitário: Digi-Reel®
Número de peça da Digi-Key 917-1078-1-ND
Copiar  
Fabricante

EPC

Copiar  
Número de peça do fabricante EPC8009
Copiar  
Descrição GANFET N-CH 65V 2.7A DIE
Copiar  
Tempo de espera previsto do fabricante 12 semanas
Descrição detalhada

Canal N 65V 4A (Ta) Montagem em superfície Matriz

Copiar  
Referência do cliente
Documentos e mídia
Fichas técnicas EPC8009
eGaN® FET Brief
Módulos de treinamento sobre produtos eGaN® FET Reliability
Biblioteca de designs de referência EPC9029: 3.5A, 0 ~ 65V, Half H-Bridge
PCN sobre origem/montagem Assembly Site 25/Jun/2021
Ficha técnica HTML eGaN® FET Brief
EPC8009
Atributos de produto
TIPO Descrição SELECIONAR TUDO
Categorias
Fabricante EPC
Séries eGaN®
Embalagem Fita cortada (CT) 
Situação da peça Ativo
Tipo de FET Canal N
Tecnologia GaNFET (nitreto de gálio)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 65V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 4A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs 130mOhm a 500mA, 5V
Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 0,45nC @ 5V
Vgs (máx.) +6V, -4V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 52pF @ 32,5V
Característica FET -
Dissipação de potência (máx.) -
Temperatura de operação -40°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido Matriz
Pacote / Invólucro Matriz
 
Classificação de exportação e ambiental
Situação da RoHS Conformidade com ROHS3
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (ilimitado)
Para uso com

EPC9067

BOARD DEV FOR EPC8009 65V EGAN F

EPC

R$ 158,12000 Detalhes
Produtos relacionados

LMG1205YFXR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

R$ 3,68000 Detalhes

LMG1205YFXT

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

R$ 4,24000 Detalhes

LMG1205YFXR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

Digi-Reel® Detalhes

LMG1205YFXR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

R$ 2,29425 Detalhes

LMG1205YFXT

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

Digi-Reel® Detalhes

LMG1205YFXT

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

R$ 2,95720 Detalhes
Talvez possa interessar a você também

EPC2038

GANFET N-CH 100V 500MA DIE

EPC

R$ 1,16000 Detalhes

EPC8004

GANFET N-CH 40V 2.7A DIE

EPC

R$ 3,18000 Detalhes

EPC8002

GANFET N-CH 65V 2A DIE

EPC

R$ 2,97000 Detalhes

PE29102A-X

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DIE

pSemi

R$ 3,79000 Detalhes

LMG1210RVRT

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 19WQFN

Texas Instruments

R$ 6,43000 Detalhes

LMG1210RVRR

IC GATE DRVR GAN MOSFET

Texas Instruments

R$ 6,22000 Detalhes
Recursos adicionais
Embalagem padrão 1
Outros nomes 917-1078-1