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1 2.08000 $2.08
10 1.86600 $18.66
100 1.49950 $149.95
500 1.23200 $616.00
1.000 1.02080 $1,020.80

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Embalagem alternativa
  • Fita e carretel (TR)  : 917-1186-2-ND
  • Quantidade mínima: 2.500
  • QUANTIDADE DISPONÍVEL: 42.500 - Imediato
  • Preço unitário: $0.96000
  • Digi-Reel®  : 917-1186-6-ND
  • Quantidade mínima: 1
  • QUANTIDADE DISPONÍVEL: 43.609 - Imediato
  • Preço unitário: Digi-Reel®
Número de peça da Digi-Key 917-1186-1-ND
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Fabricante

EPC

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Número de peça do fabricante EPC2045
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Descrição GANFET N-CH 100V 16A DIE
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Tempo de espera previsto do fabricante 12 semanas
Descrição detalhada

Canal N 100V 16A (Ta) Montagem em superfície Matriz

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Referência do cliente
Documentos e mídia
Fichas técnicas EPC2045
Informações ambientais EPC RoHS3 Cert
EPC REACH211 Cert
Produto em destaque Gen 5 eGaN® FET
100V Gen 5 Family
Biblioteca de designs de referência EPC9130: 12V @ 50A, 36 ~ 60V in, 5-Phase Buck
PCN sobre origem/montagem Mult Dev Site Add 28/Aug/2020
Ficha técnica HTML EPC2045
Modelos EDA / CAD EPC2045 by Ultra Librarian
Atributos de produto
TIPO Descrição SELECIONAR TUDO
Categorias
Fabricante EPC
Séries eGaN®
Embalagem Fita cortada (CT) 
Situação da peça Ativo
Tipo de FET Canal N
Tecnologia GaNFET (nitreto de gálio)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 16A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs 7mOhm a 16A, 5V
Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 5mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 6,5nC @ 5V
Vgs (máx.) +6V, -4V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 685pF @ 50V
Característica FET -
Dissipação de potência (máx.) -
Temperatura de operação -40°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido Matriz
Pacote / Invólucro Matriz
 
Classificação de exportação e ambiental
Situação da RoHS Conformidade com ROHS3
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionais
Embalagem padrão 1
Outros nomes 917-1186-1