FETs, MOSFETs individuais

Resultados : 42.065
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpCoherent CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEVVO
Séries
-*12002N7002K4485650AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™AP4NA2R2HC
Embalagem
BandejaCaixaDigi-Reel®Fita cortada (CT)Fita e caixa (TB)Fita e carretel (TR)GranelSacoTiraTubo
Situação do produto
AtivoDescontinuado na Digi-KeyNão para novos designsObsoletoÚltima compra
Tipo de FET
-Canal NCanal P
Tecnologia
-GaNFET (Cascode FET de nitreto de gálio)GaNFET (nitreto de gálio)MOSFET (óxido metálico)SiC (transistor de junção de carboneto de silício)SiCFET (carboneto de silício)SiCFET (Cascode SiCJFET)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
-30 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
150µA (Ta)520µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
0V0V, 10V0V, 18V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
0,29mOhm a 50A, 10V0,3mOhm a 200A, 10V0,35mOhm a 50A, 10V0,36mOhm a 100A, 10V0,39mOhm a 100A, 10V0,4mOhm a 150A, 10V0,4mOhm a 30A, 10V0,4mOhm a 50A, 10V0,42mOhm a 50A, 10V0,44mOhm a 88A, 10V0,45mOhm a 30A, 10V0,45mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
300mV @ 250µA400mV a 1mA (mín.)400mV a 250µA400mV a 250µA (mín.)450mV a 100µA (mín.)450mV a 1mA (mín.)450mV a 250µA (mín.)450mV a 2mA (mín.)500mV a 250µA (mín.)570mV a 1mA (típ.)600mV a 1,2mA (mín.)600mV a 1mA (mín.)
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
0.0007 nC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
-20V-12V-10V-10V, +20V-8V-8V, +19V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 3 V7 pF @ 10 V
Característica FET
-Diodo de detecção de temperaturaDiodo Schottky (corpo)Diodo Schottky (isolado)Modo de DepleçãoSensível a corrente
Dissipação de potência (máx.)
400µW400µW (Ta)500µW (Ta)100mW100mW (Ta)120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW150mW (Ta)150mW (Tc)
Temperatura de operação
-65°C a 150°C (TJ)-65°C a 175°C (TJ)-60°C a 175°C (TJ)-55°C a 100°C-55°C a 110°C (TA)-55°C a 125°C-55°C a 125°C (TA)-55°C a 125°C (TJ)-55°C a 135°C (TJ)-55°C a 150°C-55°C a 150°C (TA)-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-AutomotivoMilitar
Qualificação
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
Tipo de montagem
-Furo passanteMontagem em chassisMontagem em superfícieMontagem em superfície, flanco impregnável
Invólucro do dispositivo fornecido
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PQFN (5x6)
Pacote / Invólucro
2-DFN pad exposto3-DFN pad exposto3-FLGA3-PowerSMD, condutores planos3-PowerTDFN3-SIP3-SMD, condutores planos3-SMD, não padrão3-SMD, sem condutores3-SMD, SOT-23-3, variante3-UDFN3-UFDFN
Opções de estoque
Opções ambientais
Mídia
PRODUTO DO MERCADO
42.065Resultados
Mostrando
de 42.065
N.º de peça do fabricante
QUANTIDADE DISPONÍVEL
Preço
Séries
Embalagem
Situação do produto
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
Vgs(th) (máx.) para Id
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
Vgs (máx.)
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
Característica FET
Dissipação de potência (máx.)
Temperatura de operação
Grau
Qualificação
Tipo de montagem
Invólucro do dispositivo fornecido
Pacote / Invólucro
212.460
Em estoque
1 : $ 0,10000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,02432
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5Ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
106.037
Em estoque
1 : $ 0,10000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,02417
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4,5Ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
83.756
Em estoque
1 : $ 0,10000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,02403
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm a 500mA, 10V
2,5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
354.302
Em estoque
1 : $ 0,11000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,02861
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm a 50mA, 5V
2,5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
197.311
Em estoque
20.031.000
Fábrica
1 : $ 0,12000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03242
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5Ohm a 220mA, 10V
1,5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1.217.847
Em estoque
1 : $ 0,13000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,02947
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2Ohm a 100mA, 2,5V
1V a 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
407.320
Em estoque
55.926.000
Fábrica
1 : $ 0,13000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03324
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2Ohm a 500mA, 10V
2,5V a 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
119.587
Em estoque
1 : $ 0,13000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03324
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6Ohm a 500mA, 10V
2,3V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1.222.056
Em estoque
1 : $ 0,14000
Fita cortada (CT)
10.000 : $ 0,02546
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designs
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm a 500mA, 10V
2,4V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
Automotivo
AEC-Q101
Montagem em superfície
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
617.846
Em estoque
1 : $ 0,14000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,02848
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal P
MOSFET (óxido metálico)
50 V
180mA (Ta)
10V
7,5Ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C a 150°C (TJ)
Automotivo
AEC-Q101
Montagem em superfície
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
413.111
Em estoque
53.874.000
Fábrica
1 : $ 0,14000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03661
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal P
MOSFET (óxido metálico)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm a 100mA, 5V
2V a 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
389.492
Em estoque
1.068.000
Fábrica
1 : $ 0,14000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03582
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
30 V
350mA (Ta)
2,5V, 10V
2,8Ohm a 250mA, 10V
1,5V a 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
342.443
Em estoque
1 : $ 0,14000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03550
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5Ohm a 240mA, 10V
2,5V a 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
295.907
Em estoque
1 : $ 0,14000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03773
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designs
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm a 500mA, 10V
2,4V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
Automotivo
AEC-Q101
Montagem em superfície
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
49.420
Em estoque
1 : $ 0,14000
Fita cortada (CT)
10.000 : $ 0,03032
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5Ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
CST3
SC-101, SOT-883
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
24.656
Em estoque
1 : $ 0,14000
Fita cortada (CT)
10.000 : $ 0,03181
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
350mA (Ta)
5V, 10V
2,8Ohm a 200mA, 10V
2,1V a 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 3,1W (Tc)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-883
SC-101, SOT-883
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
815.557
Em estoque
1 : $ 0,15000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03838
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm a 300mA, 10V
1,5V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C a 150°C (TA)
Automotivo
AEC-Q101
Montagem em superfície
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
504.902
Em estoque
1 : $ 0,15000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03873
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5V
2,2Ohm a 200mA, 4,5V
800mV a 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
UMT3F
SC-85
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
425.377
Em estoque
1 : $ 0,15000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03946
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
115mA (Tc)
5V, 10V
7,5Ohm a 500mA, 10V
2,5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
190.473
Em estoque
1 : $ 0,15000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03820
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
3Ohm a 500mA, 10V
2,5V a 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
103.110
Em estoque
1 : $ 0,15000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03914
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
100 V
170mA (Ta)
10V
6Ohm a 170mA, 10V
2V a 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
13.899
Em estoque
1 : $ 0,15000
Fita cortada (CT)
8.000 : $ 0,03545
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
30 V
100mA (Ta)
2,5V, 4V
3,6Ohm a 10mA, 4V
1,5V a 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
VESM
SOT-723
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
854.390
Em estoque
1 : $ 0,16000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,04244
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
320mA (Ta)
10V
1,6Ohm a 300mA, 10V
1,5V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW (Ta), 830mW (Tc)
-55°C a 150°C (TA)
Automotivo
AEC-Q101
Montagem em superfície
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
777.038
Em estoque
1 : $ 0,16000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03395
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
2Ohm a 500mA, 10V
2,5V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
767.396
Em estoque
1 : $ 0,16000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,04082
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
350mA (Ta)
10V
1,6Ohm a 500mA, 10V
2,1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW (Ta)
150°C (TJ)
Automotivo
AEC-Q101
Montagem em superfície
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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FETs, MOSFETs individuais

Os transistores de efeito de campo (FETs) discretos são amplamente usados na conversão de energia, controle de motor, iluminação de estado sólido e outras aplicações em que suas capacidades características são vantajosas de serem ligados e desligados em altas frequências, enquanto transportam quantidades substanciais de corrente. Eles são usados quase universalmente para aplicações que exigem dimensionamentos de tensão de algumas centenas de volts ou menos, acima das quais outros tipos de dispositivos, como os IGBTs, se tornam mais competitivos.