FETs, MOSFETs individuais

Resultados : 41.851
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpCharter Engineering Inc.Coherent CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPC
Séries
-*2N7002KAlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, UltraFET™BSS
Embalagem
BandejaCaixaDigi-Reel®Fita cortada (CT)Fita e caixa (TB)Fita e carretel (TR)GranelSacoTiraTubo
Situação do produto
AtivoDescontinuado na Digi-KeyNão para novos designsObsoletoÚltima compra
Tipo de FET
-Canal NCanal P
Tecnologia
-GaNFET (Cascode FET de nitreto de gálio)GaNFET (nitreto de gálio)MOSFET (óxido metálico)SiC (transistor de junção de carboneto de silício)SiCFET (carboneto de silício)SiCFET (Cascode SiCJFET)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
-30 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
0V0V, 10V0V, 18V0V, 6V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
0,29mOhm a 50A, 10V0,3mOhm a 200A, 10V0,35mOhm a 50A, 10V0.39mOhm @ 100A, 10V0,4mOhm a 150A, 10V0,4mOhm a 30A, 10V0,4mOhm a 50A, 10V0,42mOhm a 50A, 10V0,44mOhm a 88A, 10V0,45mOhm a 30A, 10V0,45mOhm a 50A, 10V0,45mOhm a 60A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id
400mV a 1mA (mín.)400mV a 250µA400mV a 250µA (mín.)450mV a 100µA (mín.)450mV a 1mA (mín.)450mV a 250µA (mín.)450mV a 2mA (mín.)500mV a 250µA (mín.)570mV a 1mA (típ.)600mV a 1,2mA (mín.)600mV a 1mA (mín.)600mV a 1mA (típ.)
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
0.0007 nC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
-20V-12V-10V-10V, +20V-8V-8V, +19V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2.195 pF @ 15 V3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 3 V
Característica FET
-Diodo de detecção de temperaturaDiodo Schottky (corpo)Diodo Schottky (isolado)Modo de DepleçãoSensível a corrente
Dissipação de potência (máx.)
400µW400µW (Ta)100mW100mW (Ta)120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW150mW (Ta)150mW (Tc)155mW (Ta)
Temperatura de operação
-65°C a 150°C (TJ)-65°C a 175°C (TJ)-60°C a 175°C (TJ)-55°C a 100°C-55°C a 110°C (TA)-55°C a 125°C-55°C a 125°C (TA)-55°C a 125°C (TJ)-55°C a 135°C (TJ)-55°C a 150°C-55°C a 150°C (TA)-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-AutomotivoMilitar
Qualificação
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
Tipo de montagem
-Furo passanteMontagem em chassisMontagem em superfícieMontagem em superfície, flanco impregnável
Invólucro do dispositivo fornecido
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PQFN (5x6)
Pacote / Invólucro
2-DFN pad exposto3-DFN pad exposto3-FLGA3-PowerSMD, condutores planos3-PowerTDFN3-PowerXFDFN3-SIP3-SMD, condutores planos3-SMD, não padrão3-SMD, sem condutores3-SMD, SOT-23-3, variante3-UDFN
Opções de estoque
Opções ambientais
Mídia
PRODUTO DO MERCADO
41.851Resultados

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de 41.851
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N.º de peça do fabricante
QUANTIDADE DISPONÍVEL
Preço
Séries
Embalagem
Situação do produto
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
Vgs(th) (máx.) para Id
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
Vgs (máx.)
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
Característica FET
Dissipação de potência (máx.)
Temperatura de operação
Grau
Qualificação
Tipo de montagem
Invólucro do dispositivo fornecido
Pacote / Invólucro
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
32.049
Em estoque
1 : $ 0,15000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,02660
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4,5Ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
129.668
Em estoque
1 : $ 0,17000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03012
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm a 500mA, 10V
2,5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
NX7002AK,215
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
505.296
Em estoque
1 : $ 0,19000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03310
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
190mA (Ta)
5V, 10V
4,5Ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
419.798
Em estoque
1 : $ 0,20000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03388
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm a 50mA, 5V
2,5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
98.490
Em estoque
1.662.000
Fábrica
1 : $ 0,21000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03527
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5Ohm a 220mA, 10V
1,5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
319.082
Em estoque
4.401.000
Fábrica
1 : $ 0,22000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03638
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2Ohm a 500mA, 10V
2,5V a 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
277.473
Em estoque
1 : $ 0,22000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03638
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6Ohm a 500mA, 10V
2,3V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1.447.135
Em estoque
1 : $ 0,23000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03795
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2Ohm a 100mA, 2,5V
1V a 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
669.609
Em estoque
1 : $ 0,23000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03817
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal P
MOSFET (óxido metálico)
50 V
180mA (Ta)
10V
7,5Ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C a 150°C (TJ)
Automotivo
AEC-Q101
Montagem em superfície
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
460.858
Em estoque
1 : $ 0,23000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03951
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5Ohm a 240mA, 10V
2,5V a 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
100.919
Em estoque
1 : $ 0,23000
Fita cortada (CT)
10.000 : $ 0,02999
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5Ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
CST3
SC-101, SOT-883
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1.184.003
Em estoque
1 : $ 0,24000
Fita cortada (CT)
10.000 : $ 0,03159
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designs
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm a 500mA, 10V
2,4V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
Automotivo
AEC-Q101
Montagem em superfície
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS316NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Infineon Technologies
607.329
Em estoque
1 : $ 0,24000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,04396
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
30 V
1,4A (Ta)
4,5V, 10V
160mOhm a 1,4A, 10V
2V a 3,7µA
0.6 nC @ 5 V
±20V
94 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
461.033
Em estoque
30.000
Fábrica
1 : $ 0,24000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03995
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
30 V
350mA (Ta)
2,5V, 10V
2,8Ohm a 250mA, 10V
1,5V a 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
455.681
Em estoque
1 : $ 0,24000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,04105
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designs
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm a 500mA, 10V
2,4V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
Automotivo
AEC-Q101
Montagem em superfície
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
436.703
Em estoque
1 : $ 0,24000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,04107
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal P
MOSFET (óxido metálico)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm a 100mA, 5V
2V a 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
91.592
Em estoque
1 : $ 0,24000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03995
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5Ohm a 240mA, 10V
2,6V a 250µA
0.81 nC @ 5 V
±30V
40 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
4.630.564
Em estoque
1 : $ 0,25000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,04534
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
20 V
800mA (Ta)
1,5V, 4,5V
235mOhm a 800mA, 4,5V
1V a 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SSM
SC-75, SOT-416
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
867.002
Em estoque
1 : $ 0,25000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,04194
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm a 300mA, 10V
1,5V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C a 150°C (TA)
Automotivo
AEC-Q101
Montagem em superfície
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
AO3416
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
762.117
Em estoque
1 : $ 0,25000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,07500
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designs
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
20 V
6,5A (Ta)
1,8V, 4,5V
22mOhm a 6,5A, 4,5V
1V a 250µA
16 nC @ 4.5 V
±8V
1160 pF @ 10 V
-
1,4W (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3, variante
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
709.839
Em estoque
1 : $ 0,25000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,04241
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5V
2,2Ohm a 200mA, 4,5V
800mV a 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
UMT3F
SC-85
TO-236AB
BSH105,215
MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB
Nexperia USA Inc.
433.332
Em estoque
1 : $ 0,25000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,07500
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designs
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
20 V
1,05A (Ta)
1,8V, 4,5V
200mOhm a 600mA, 4,5V
570mV a 1mA (típ.)
3.9 nC @ 4.5 V
±8V
152 pF @ 16 V
-
417mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
69.598
Em estoque
1 : $ 0,25000
Fita cortada (CT)
10.000 : $ 0,03204
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
350mA (Ta)
5V, 10V
2,8Ohm a 200mA, 10V
2,1V a 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 3,1W (Tc)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-883
SC-101, SOT-883
SOT-23-3
DMG6968U-7
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Diodes Incorporated
559.208
Em estoque
1 : $ 0,26000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,06990
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designs
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
20 V
6,5A (Ta)
1,8V, 4,5V
25mOhm a 6,5A, 4,5V
900mV a 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
±12V
151 pF @ 10 V
-
1,3W (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2302U-7
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
340.760
Em estoque
84.000
Fábrica
1 : $ 0,26000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,07371
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
20 V
4,2A (Ta)
2,5V, 4,5V
90mOhm a 3,6A, 4,5V
1V a 50µA
7 nC @ 4.5 V
±8V
594.3 pF @ 10 V
-
800mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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FETs, MOSFETs individuais


Os transistores de efeito de campo (FETs) discretos são amplamente usados na conversão de energia, controle de motor, iluminação de estado sólido e outras aplicações em que suas capacidades características são vantajosas de serem ligados e desligados em altas frequências, enquanto transportam quantidades substanciais de corrente. Eles são usados quase universalmente para aplicações que exigem dimensionamentos de tensão de algumas centenas de volts ou menos, acima das quais outros tipos de dispositivos, como os IGBTs, se tornam mais competitivos.