Matrizes de FET, MOSFET

Resultados : 5.477
Fabricante
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedBruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCFairchild Semiconductor
Séries
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™Automotive, AEC-Q101C, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Embalagem
BandejaCaixaDigi-Reel®Fita cortada (CT)Fita e carretel (TR)GranelTubo
Situação do produto
AtivoDescontinuado na Digi-KeyNão para novos designsObsoletoÚltima compra
Tecnologia
-Carboneto de silício (SiC)GaNFET (nitreto de gálio)MOSFET (óxido metálico)
Configuração
2 N-Channel, Common Drain2 canais N (buck chopper duplo)2 canais N (duplo)2 canais N (duplo), Schottky2 canais N (em cascode)2 canais N (meia ponte)2 canais N (phase leg)2 canais N assimétricos (duplo)2 canais N com dreno comum (duplo)2 canais N com fonte comum (duplo)2 canais N com pares conjugados (duplo)2 canais N e 2 canais P (ponte completa)
Característica FET
-Carboneto de silício (SiC)GaNFET (nitreto de gálio)Modo de DepleçãoPadrãoPorta de nível lógicoPorta de nível lógico, acionamento de 0,9VPorta de nível lógico, acionamento de 1,2VPorta de nível lógico, acionamento de 1,5VPorta de nível lógico, acionamento de 1,8VPorta de nível lógico, acionamento de 10VPorta de nível lógico, acionamento de 2,5VPorta de nível lógico, acionamento de 4,5VPorta de nível lógico, acionamento de 4V
Tensão dreno-fonte (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)115mA (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
0,46mOhm a 160A, 12V0,762mOhm a 160A, 12V0,8mOhm a 1200A, 10V0,95mOhm a 30A, 10V0,95mOhm a 8A, 4,5V1,2mOhm a 10A, 10V1,2mOhm a 800A, 10V1,25mOhm a 35A, 10V1,3mOhm a 100A, 10V1,35mOhm a 10A, 4,5V1,37mOhm a 15A, 10V1,4mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
10mV a 10µA10mV a 1µA10mV a 20µA20mV a 10µA20mV a 1µA20mV a 20µA180mV a 1µA200mV a 2,8A, 200mV a 1,9A220mV a 1µA360mV a 1µA380mV a 1µA400mV a 250µA (mín.)
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
0,4pC a 4,5V, 7,3nC a 4,5V0,45pC a 4,5V0,16nC a 5V, 0,044nC a 5V0,22nC a 5V, 0,044nC a 5V0,26nC a 2,5V280pC a 4,5V0,28nC a 4,5V0,28nC a 4,5V, 0,3nC a 4,5V0,3nC a 4,5V0,3nC a 4,5V, 0,28nC a 4,5V0,304nC a 4,5V0,31nC a 4,5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2,5pF a 5V3pF a 5V5pF a 3V6pF a 3V6,2pF a 10V6,6pF a 10V7pF a 10V7pF a 3V7,1pF a 10V7,4pF a 10V7,5pF a 10V8,5pF a 3V
Potência - Máx.
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW200mW (Ta)
Temperatura de operação
-65°C a 150°C (TJ)-55°C a 125°C-55°C a 150°C (TA)-55°C a 150°C (TJ)-55°C a 150°C (Tc)-55°C a 150°C-55°C a 155°C (TJ)-55°C a 175°C (TA)-55°C a 175°C (TJ)-55°C a 175°C-50°C a 150°C (TJ)-40°C a 125°C (TA)
Grau
-AutomotivoMilitar
Qualificação
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Tipo de montagem
-Furo passanteMontagem em chassisMontagem em superfícieMontagem em superfície, flanco impregnável
Pacote / Invólucro
4-SMD, sem condutores4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN com pad exposto4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Invólucro do dispositivo fornecido
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1.74x1.74)4-Chip LGA (1,59x1,59)4-DFN (1,5 x 1,5)4-DFN (1,7 x 1,7)
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
Preço
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Embalagem
Situação do produto
Tecnologia
Configuração
Característica FET
Tensão dreno-fonte (Vdss)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Rds on (máx.) para Id, Vgs
Vgs(th) (máx.) para Id
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
Potência - Máx.
Temperatura de operação
Grau
Qualificação
Tipo de montagem
Pacote / Invólucro
Invólucro do dispositivo fornecido
US6
SSM6N7002KFU,LF
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
Toshiba Semiconductor and Storage
546.881
Em estoque
1 : $ 0,24000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,04018
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)-60V300mA1,5Ohm a 100mA, 10V2,1V a 250µA0,6nC a 4,5V40pF a 10V285mW150°C (TJ)--Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
SOT 363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
44.925
Em estoque
1 : $ 0,36000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,06004
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico60V295mA1,6Ohm a 500mA, 10V2,5V a 250µA0,9nC a 4,5V26pF a 20V250mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
247.898
Em estoque
1 : $ 0,34000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,06156
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)-60V230mA7,5Ohm a 50mA, 5V2V a 250µA-50pF a 25V310mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
SOT-563
SSM6L56FE,LM
MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
Toshiba Semiconductor and Storage
45.898
Em estoque
1 : $ 0,36000
Fita cortada (CT)
4.000 : $ 0,06449
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)Canal N e PPorta de nível lógico, acionamento de 1,5V20V800mA (Ta)235mOhm a 800mA, 4,5V, 390mOhm a 800mA, 4,5V1V a 1mA1nC a 10V55pF a 10V, 100pF a 10V150mW (Ta)150°C--Montagem em superfícieSOT-563, SOT-666ES6
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SSM6N37FU,LF
MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6
Toshiba Semiconductor and Storage
414.400
Em estoque
1 : $ 0,37000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,06645
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico, acionamento de 1,5V20V250mA (Ta)2,2Ohm a 100mA, 4,5V1V a 1mA-12pF a 10V300mW150°C--Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
MMDT2907A-TP
2N7002DW-TP
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Micro Commercial Co
1.228.273
Em estoque
1 : $ 0,38000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,06840
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)-60V115mA7,5Ohm a 50mA, 5V2V a 250µA-50pF a 25V200mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
195.125
Em estoque
4.902.000
Fábrica
1 : $ 0,40000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,07192
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)Canal N e PPorta de nível lógico20V1,03A, 700mA480mOhm a 200mA, 5V900mV a 250µA0,5nC a 4,5V37,1pF a 10V450mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 26
DMC2700UDM-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
Diodes Incorporated
1.233.206
Em estoque
2.940.000
Fábrica
1 : $ 0,40000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,07290
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)Canal N e PPorta de nível lógico20V1,34A, 1,14A400mOhm a 600mA, 4,5V1V a 250µA0,74nC a 4,5V60,67pF a 16V1,12W-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23-6SOT-26
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
373.123
Em estoque
1 : $ 0,42000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,07507
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico60V320mA1,6Ohm a 300mA, 10V1,5V a 250µA0,8nC a 4,5V50pF a 10V420mW150°C (TJ)AutomotivoAEC-Q101Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
404.253
Em estoque
1 : $ 0,42000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,07632
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico60V300mA (Ta)1,6Ohm a 500mA, 10V2,1V a 250µA0,6nC a 4,5V50pF a 10V295mW150°C (TJ)AutomotivoAEC-Q101Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
BSS84AKS,115
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
55.363
Em estoque
1 : $ 0,43000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,07739
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais P (duplo)Porta de nível lógico50V160mA7,5Ohm a 100mA, 10V2,1V a 250µA0,35nC a 5V36pF a 25V445mW-55°C a 150°C (TJ)AutomotivoAEC-Q101Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT-563
SSM6L36FE,LM
MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6
Toshiba Semiconductor and Storage
29.076
Em estoque
1 : $ 0,43000
Fita cortada (CT)
4.000 : $ 0,07818
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)Canal N e PPorta de nível lógico20V500mA, 330mA630mOhm a 200mA, 5V1V a 1mA1,23nC a 4V46pF a 10V150mW150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-563, SOT-666ES6
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
124.109
Em estoque
1 : $ 0,38000
Fita cortada (CT)
8.000 : $ 0,08131
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico, acionamento de 0,9V50V200mA2,2Ohm a 200mA, 4,5V800mV a 1mA-26pF a 10V120mW150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-563, SOT-666EMT6
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
870.885
Em estoque
1 : $ 0,37000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,08136
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico, acionamento de 1,2V50V200mA2,2Ohm a 200mA, 4,5V1V a 1mA-25pF a 10V120mW150°C (TJ)--Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363UMT6
SOT-363
DMG1016UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
122.573
Em estoque
1.575.000
Fábrica
1 : $ 0,46000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,08208
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)Canal N e PPorta de nível lógico20V1,07A, 845mA450mOhm a 600mA, 4,5V1V a 250µA0,74nC a 4,5V60,67pF a 10V330mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
115.505
Em estoque
1 : $ 0,46000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,08208
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico60V300mA3Ohm a 500mA, 10V2,5V a 250µA0,6nC a 10V20pF a 25V500mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfície6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-PO
SOT363
BSS138BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
452.452
Em estoque
1 : $ 0,46000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,08304
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico60V320mA1,6Ohm a 320mA, 10V1,6V a 250µA0,7nC a 4,5V56pF a 10V445mW-55°C a 150°C (TJ)AutomotivoAEC-Q101Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
188.042
Em estoque
3.108.000
Fábrica
1 : $ 0,38000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,08425
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designsMOSFET (óxido metálico)Canal N e PPorta de nível lógico, acionamento de 4,5V30V3,4A, 2,8A60mOhm a 3,1A, 10V2,3V a 250µA13nC a 10V400pF a 15V840mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23-6 fino, TSOT-23-6TSOT-26
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
73.888
Em estoque
1 : $ 0,39000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,08551
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)Canal N e PPorta de nível lógico30V3,8A, 2,5A55mOhm a 3,4A, 10V1,5V a 250µA12,3nC a 10V422pF a 15V850mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23-6 fino, TSOT-23-6TSOT-26
SOT363
NX3008NBKS,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
916.914
Em estoque
1 : $ 0,48000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,08599
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico30V350mA1,4Ohm a 350mA, 4,5V1,1V a 250µA0,68nC a 4,5V50pF a 15V445mW-55°C a 150°C (TJ)AutomotivoAEC-Q101Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
NX3008CBKS,115
MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
24.200
Em estoque
1 : $ 0,48000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,08599
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)Canal N e PPorta de nível lógico30V350mA, 200mA1,4Ohm a 350mA, 4,5V1,1V a 250µA0,68nC a 4,5V50pF a 15V445mW-55°C a 150°C (TJ)AutomotivoAEC-Q101Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
88.423
Em estoque
1 : $ 0,42000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,09311
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designsMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico20V860mA350mOhm a 200mA, 4,5V1,5V a 250µA0,72nC a 4,5V34pF a 20V410mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
TSOT-26
DMC2038LVT-7
MOSFET N/P-CH 20V TSOT26
Diodes Incorporated
73.454
Em estoque
924.000
Fábrica
1 : $ 0,42000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,09311
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designsMOSFET (óxido metálico)Canal N e PPorta de nível lógico20V3,7A, 2,6A35mOhm a 4A, 4,5V1V a 250µA17nC a 10V530pF a 10V800mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23-6 fino, TSOT-23-6TSOT-26
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
149.687
Em estoque
1 : $ 0,35000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,09484
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico20V610mA (Ta)396mOhm a 500mA, 4,5V1V a 250µA2nC a 8V43pF a 10V220mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
SOT 363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
28.313
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Fita cortada (CT)
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Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)-30V250mA1,5Ohm a 10mA, 4V1,5V a 100µA1,3nC a 5V33pF a 5V272mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
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Matrizes de FET, MOSFET

Os transistores de efeito de campo (FET) são dispositivos eletrônicos que usam um campo elétrico para controlar o fluxo de corrente. A aplicação de uma tensão ao terminal de porta altera a condutividade entre os terminais de dreno e fonte. Os FETs são também conhecidos como transistores unipolares, pois envolvem uma operação com único tipo de portador. Ou seja, os FETs usam elétrons ou lacunas como portadores de carga durante a operação, mas não os dois. Em geral, os transistores de efeito de campo exibem uma impedância muito alta de entrada a baixas frequências.