Transistores - FETs, MOSFETs - Cascatas

Resultados : 5.100
Fabricante
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDComponentsDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCFairchild SemiconductorGeneral ElectricGeneSiC Semiconductor
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Séries
-*AlphaMOSAutomotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, HEXFET®Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®Automotive, AEC-Q101, STripFET™Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, STripFET™ IIAutomotive, AEC-Q101, STripFET™ III
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Embalagem
-BandejaCaixaDigi-Reel®Fita cortada (CT)Fita e carretel (TR)GranelTiraTubo
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Situação da peça
AtivoDescontinuado na Digi-KeyNão para novos designsObsoletoÚltima compra
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Tipo de FET
2 canais N (buck chopper duplo)2 canais N (duplo)2 canais N (duplo), Schottky2 canais N (em cascode)2 canais N (meia ponte)2 canais N (phase leg)2 canais N assimétricos (duplo)2 canais N com dreno comum (duplo)2 canais N com fonte comum (duplo)2 canais N com pares conjugados (duplo)2 canais N e 2 canais P (ponte H)2 canais N e 2 canais P2 canais N
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Característica FET
-Carboneto de silício (SiC)GaNFET (nitreto de gálio)Modo de DepleçãoPadrãoPorta de nível lógicoPorta de nível lógico, acionamento de 0,9VPorta de nível lógico, acionamento de 1,2VPorta de nível lógico, acionamento de 1,5VPorta de nível lógico, acionamento de 1,8VPorta de nível lógico, acionamento de 10VPorta de nível lógico, acionamento de 2,5VPorta de nível lógico, acionamento de 4,5V
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Tensão dreno-fonte (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V15V16V20V20V, 12V20V, 8V22V24V
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Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
12mA, 3mA30mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)50mA80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
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Rds on (máx.) para Id, Vgs
0,8mOhm a 1200A, 10V0,95mOhm a 30A, 10V0,95mOhm a 8A, 4,5V1mOhm a 38A, 10V1,25mOhm a 35A, 10V1,3mOhm a 100A, 10V1,5mOhm a 33A, 10V1,6mOhm a 10A, 4,5V1,6mOhm a 40A, 10V1,66mOhm a 80A, 10V1,73mOhm a 760A, 15V1,8mOhm a 30A, 10V, 5mOhm a 17,5A, 10V1,8mOhm a 5A, 4,5V
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Vgs(th) (máx.) para Id
10mV a 10µA10mV a 1µA10mV a 20µA20mV a 10µA20mV a 1µA20mV a 20µA180mV a 1µA220mV a 1µA360mV a 1µA380mV a 1µA400mV a 250µA (mín.)420mV a 1µA450mV a 100µA (mín.)
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Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
0,1pC a 4,5V, 0,7pC a 4,5V0,4pC a 4,5V, 7,3nC a 4,5V0,45pC a 4,5V0,16nC a 5V, 0,044nC a 5V0,22nC a 5V, 0,044nC a 5V0,26nC a 2,5V0,3nC a 4,5V0,304nC a 4,5V0,31nC a 4,5V0,32nC a 4,5V0,34nC a 4,5V0,35nC a 4,5V0,35nC a 5V
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Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2,5pF a 5V3pF a 5V5pF a 3V6pF a 3V6,2pF a 10V6,6pF a 10V7pF a 10V7pF a 3V7,1pF a 10V7,4pF a 10V7,5pF a 10V8,5pF a 3V9pF a 15V
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Potência - Máx.
10mW (Tc)10mW20mW (Tc)20mW50mW120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW200mW (Ta)
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Temperatura de operação
-65°C a 150°C (TJ)-55°C a 125°C-55°C a 150°C (TA)-55°C a 150°C (TJ)-55°C a 150°C (Tc)-55°C a 150°C-55°C a 155°C (TJ)-55°C a 175°C (TA)-55°C a 175°C (TJ)-55°C a 175°C-50°C a 150°C (TJ)-40°C a 125°C (Tc)-40°C a 150°C (TJ)
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Tipo de montagem
-Furo passanteMontagem em chassisMontagem em superfícieMontagem em superfície, flanco impregnável
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Pacote / Invólucro
SMD-4, sem condutoresUFBGA-4, WLBGAUFBGA-4, WLCSPVDFN-4VFDFN-4 com pad expostoXBGA-4, FCBGA-4XDFN-4XFBGA-4XFBGA-4, FCBGAXFBGA-4, WLBGAXFBGA-4, WLCSPXFLGA-4XFLGA-4, CSP
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Invólucro do dispositivo fornecido
4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-Chip LGA (1,59x1,59)AlphaDFN-4 (0,97x0,97)BGA-4 (1x1)DFN-4 (1,5 x 1,5)DFN-4 (1,7 x 1,7)EFCP-4 (1,01x1,01)EFLIP-LGA-4 (1,11x1,11)EFLIP-LGA-4 (1,4x1,4)EFLIP-LGA-4 (1,62x1,62)FlipChip-4Picostar 4 (1,31x1,31)QFN-4 (2x2)
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Opções de estoque
Mídia
Opções ambientais
PRODUTO DO MERCADO
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N.º de peça do fabricante
Preço
Estoque
Fabricante
Fabricante
Qtd. mín.
N.º de peça da DK
Séries
Embalagem
Situação da peça
Tipo de FET
Característica FET
Tensão dreno-fonte (Vdss)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Rds on (máx.) para Id, Vgs
Vgs(th) (máx.) para Id
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
Potência - Máx.
Temperatura de operação
Tipo de montagem
Pacote / Invólucro
Invólucro do dispositivo fornecido
eGaN Series
EPC2106
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
$1,82000
38.000 - Imediato
EPCEPC
1
917-1110-2-ND
917-1110-1-ND
917-1110-6-ND
eGaN®
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais N (meia ponte)GaNFET (nitreto de gálio)100V1,7A70mOhm a 2A, 5V2,5V a 600µA0,73nC a 5V75pF a 50V--40°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieMatrizMatriz
eGaN Series
EPC2110
GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
$2,37000
21.385 - Imediato
EPCEPC
1
917-1152-2-ND
917-1152-1-ND
917-1152-6-ND
eGaN®
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais N com fonte comum (duplo)GaNFET (nitreto de gálio)120V3,4A60mOhm a 4A, 5V2,5V a 700µA0,8nC a 5V80pF a 60V--40°C a 150°C (TJ)-MatrizMatriz
eGaN Series
EPC2104
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
$7,17000
1.158 - Imediato
EPCEPC
1
917-1184-2-ND
917-1184-1-ND
917-1184-6-ND
eGaN®
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais N (meia ponte)GaNFET (nitreto de gálio)100V23A6,3mOhm a 20A, 5V2,5V a 5,5mA7nC a 5V800pF a 50V--40°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieMatrizMatriz
eGaN Series
EPC2102
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
$8,01000
1.848 - Imediato
EPCEPC
1
917-1182-2-ND
917-1182-1-ND
917-1182-6-ND
eGaN®
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais N (meia ponte)GaNFET (nitreto de gálio)60V23A4,4mOhm a 20A, 5V2,5V a 7mA6,8nC a 5V830pF a 30V--40°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieMatrizMatriz
BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
$710,45000
28 - Imediato
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
BSM300D12P2E001-ND
-
Bandeja
Ativo2 canais N (meia ponte)Carboneto de silício (SiC)1200V (1,2kV)300A (Tc)-4V a 68mA-35000pF a 10V1875W-40°C a 150°C (TJ)Montagem em chassisMóduloMódulo
SOT-353
DMN32D2LDF-7
MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
$0,41000
1.276 - Imediato
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMN32D2LDF-7DITR-ND
DMN32D2LDF-7DICT-ND
DMN32D2LDF-7DIDKR-ND
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais N com fonte comum (duplo)Porta de nível lógico30V400mA1,2Ohm a 100mA, 4V1,2V a 250µA-39pF a 3V280mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieTSSOP-5, SC-70-5, SOT-353SOT-353
SOT363
BSS138BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
$0,50000
0 - Imediato
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-6478-2-ND
1727-6478-1-ND
1727-6478-6-ND
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais N (duplo)Porta de nível lógico60V320mA1,6Ohm a 320mA, 10V1,6V a 250µA0,7nC a 4,5V56pF a 10V445mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieTSSOP-6, SC-88, SOT-363TSSOP-6
SOT363
NX3008PBKS,115
MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOP
$0,52000
4.182 - Imediato
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-1282-2-ND
1727-1282-1-ND
1727-1282-6-ND
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais P (duplo)Porta de nível lógico30V200mA4,1Ohm a 200mA, 4,5V1,1V a 250µA0,75nC a 4,5V46pF a 15V445mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieTSSOP-6, SC-88, SOT-363TSSOP-6
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
$0,46000
41.775 - Imediato
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-3126-2-ND
1727-3126-1-ND
1727-3126-6-ND
TrenchMOS™
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais N (duplo)Porta de nível lógico20V860mA350mOhm a 200mA, 4,5V1,5V a 250µA0,72nC a 4,5V34pF a 20V410mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieTSSOP-6, SC-88, SOT-363TSSOP-6
8-SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
$0,40000
62.711 - Imediato
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMP3085LSD-13DITR-ND
DMP3085LSD-13DICT-ND
DMP3085LSD-13DIDKR-ND
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais P (duplo)Porta de nível lógico30V3,9A70mOhm a 5,3A, 10V3V a 250µA11nC a 10V563pF a 25V1,1W-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieSOIC-8 (largura 0,154", 3,90mm)SO-8
SOT-963
DMC31D5UDJ-7
MOSFET N/P-CH 30V SOT963
$0,46000
23.266 - Imediato
760.000 - Fábrica
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMC31D5UDJ-7DITR-ND
DMC31D5UDJ-7DICT-ND
DMC31D5UDJ-7DIDKR-ND
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal N e PPorta de nível lógico30V220mA, 200mA1,5Ohm a 100mA, 4,5V1V a 250µA0,38nC a 4,5V22,6pF a 15V350mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieSOT-963SOT-963
U-DFN2020-6
DMN1029UFDB-7
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
$0,50000
50.364 - Imediato
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMN1029UFDB-7DITR-ND
DMN1029UFDB-7DICT-ND
DMN1029UFDB-7DIDKR-ND
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais N (duplo)Padrão12V5,6A29mOhm a 5A, 4,5V1V a 250µA19,6nC a 8V914pF a 6V1,4W-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieUDFN-6 com pad expostoU-DFN2020-6 (tipo B)
UF6
SSM6L40TU,LF
X34 PB-F UF6 S-MOS (LF) TRANSIST
$0,51000
0 - Imediato
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
SSM6L40TULFTR-ND
SSM6L40TULFCT-ND
SSM6L40TULFDKR-ND
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal N e PPorta de nível lógico, acionamento de 4V30V1,6A (Ta), 1,4A (Ta)122mOhm a 1A, 10V, 226mOhm a 1A, 10V2,6V a 1mA, 2V a 1mA5,1nC a 10V, 2,9nC a 10V180pF a 15V, 120pF a 15V500mW (Ta)150°CMontagem em superfícieSMD-6, condutores planosUF6
SOT-563
2N7002V
MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT563F
$0,48000
88.065 - Imediato
onsemionsemi
1
2N7002VTR-ND
2N7002VCT-ND
2N7002VDKR-ND
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais N (duplo)Porta de nível lógico60V280mA7,5Ohm a 50mA, 5V2,5V a 250µA-50pF a 25V250mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieSOT-563, SOT-666SOT-563F
8-SO
DMG9926USD-13
MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L
$0,51000
217 - Imediato
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMG9926USD-13DITR-ND
DMG9926USD-13DICT-ND
DMG9926USD-13DIDKR-ND
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais N (duplo)Porta de nível lógico20V8A24mOhm a 8,2A, 4,5V900mV a 250µA8,8nC a 4,5V867pF a 15V1,3W-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieSOIC-8 (largura 0,154", 3,90mm)SO-8
Pkg 5880
SI1025X-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
$0,53000
660 - Imediato
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI1025X-T1-GE3TR-ND
SI1025X-T1-GE3CT-ND
SI1025X-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais P (duplo)Porta de nível lógico60V190mA4Ohm a 500mA, 10V3V a 250µA1,7nC a 15V23pF a 25V250mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
SOT 26
DMG9926UDM-7
MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26
$0,56000
22.139 - Imediato
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMG9926UDMDITR-ND
DMG9926UDMDICT-ND
DMG9926UDMDIDKR-ND
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais N com dreno comum (duplo)Porta de nível lógico20V4,2A28mOhm a 8,2A, 4,5V900mV a 250µA8,3nC a 4,5V856pF a 10V980mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieSOT-23-6SOT-26
SC-70-6
SI1900DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
$0,63000
16.489 - Imediato
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI1900DL-T1-E3TR-ND
SI1900DL-T1-E3CT-ND
SI1900DL-T1-E3DKR-ND
TrenchFET®
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais N (duplo)Porta de nível lógico30V590mA480mOhm a 590mA, 10V3V a 250µA1,4nC a 10V-270mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieTSSOP-6, SC-88, SOT-363SC-70-6
TUMT6_TUMT6 Pkg
US6M2TR
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
$0,71000
18.958 - Imediato
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
US6M2TR-ND
US6M2CT-ND
US6M2DKR-ND
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal N e PPadrão30V, 20V1,5A, 1A240mOhm a 1,5A, 4,5V1,5V a 1mA2,2nC a 4,5V80pF a 10V1W150°C (TJ)Montagem em superfícieSMD-6, condutores planosTUMT6
8-SOIC
SI9933CDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
$0,66000
225 - Imediato
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI9933CDY-T1-GE3TR-ND
SI9933CDY-T1-GE3CT-ND
SI9933CDY-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais P (duplo)Porta de nível lógico20V4A58mOhm a 4,8A, 4,5V1,4V a 250µA26nC a 10V665pF a 10V3,1W-50°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieSOIC-8 (largura 0,154", 3,90mm)SOIC-8
8-SOIC
AOSD21311C
MOSFET 2P-CH 8-SOIC
$0,71000
51.080 - Imediato
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-AOSD21311CTR-ND
785-AOSD21311CCT-ND
785-AOSD21311CDKR-ND
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais P (duplo)Padrão30V5A (Ta)42mOhm a 5A, 10V2,2V a 250µA23nC a 10V720pF a 15V1,7W-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieSOIC-8 (largura 0,154", 3,90mm)SOIC-8
SOT-963
NTUD3174NZT5G
MOSFET 2N-CH 20V 220MA SOT963
$0,67000
29.759 - Imediato
onsemionsemi
1
NTUD3174NZT5GOSTR-ND
NTUD3174NZT5GOSCT-ND
NTUD3174NZT5GOSDKR-ND
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais N (duplo)Padrão20V220mA (Ta)1,5Ohm a 100mA, 4,5V1V a 100µA-12,5pF a 15V125mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieSOT-963SOT-963
8-SOIC
AO4840
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
$0,74000
55.558 - Imediato
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-1063-2-ND
785-1063-1-ND
785-1063-6-ND
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designs2 canais N (duplo)Porta de nível lógico40V6A30mOhm a 6A, 10V3V a 250µA10,8nC a 10V650pF a 20V2W-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieSOIC-8 (largura 0,154", 3,90mm)SOIC-8
8-SOIC
AO4882
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
$0,80000
252.180 - Imediato
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-1317-2-ND
785-1317-1-ND
785-1317-6-ND
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais N (duplo)Porta de nível lógico40V8A19mOhm a 8A, 10V2,4V a 250µA12nC a 10V415pF a 20V2W-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieSOIC-8 (largura 0,154", 3,90mm)SOIC-8
FDMAxxxxxZ
FDMA3023PZ
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
$0,73000
5.230 - Imediato
18.000 - Fábrica
onsemionsemi
1
FDMA3023PZTR-ND
FDMA3023PZCT-ND
FDMA3023PZDKR-ND
PowerTrench®
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais P (duplo)Porta de nível lógico30V2,9A90mOhm a 2,9A, 4,5V1V a 250µA11nC a 4,5V530pF a 15V700mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieVDFN-6 com pad expostoMicroFET-6 (2x2)
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