FETs, MOSFETs individuais

Resultados : 3
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
3A (Tc)36A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
130mOhm a 18A, 10V3,2Ohm parpara 1,5A, 10V
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
12 nC @ 10 V125 nC @ 10 V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
175 pF @ 100 V3233 pF @ 100 V
Dissipação de potência (máx.)
69W (Tc)446W (Tc)
Tipo de montagem
Furo passanteMontagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-247ACTO-252AA
Pacote / Invólucro
TO-247-3TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Opções de estoque
Opções ambientais
Mídia
PRODUTO DO MERCADO
3Resultados
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de 3
N.º de peça do fabricante
QUANTIDADE DISPONÍVEL
Preço
Séries
Embalagem
Situação do produto
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
Vgs(th) (máx.) para Id
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
Vgs (máx.)
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
Característica FET
Dissipação de potência (máx.)
Temperatura de operação
Tipo de montagem
Invólucro do dispositivo fornecido
Pacote / Invólucro
IRFP254PBF
SIHS36N50D-GE3
D SERIES POWER MOSFET SUPER-247,
Vishay Siliconix
523
Em estoque
1 : $ 7,77000
Tubo
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
500 V
36A (Tc)
10V
130mOhm a 18A, 10V
5V a 250µA
125 nC @ 10 V
±30V
3233 pF @ 100 V
-
446W (Tc)
-55°C a 150°C (TJ)
Furo passante
TO-247AC
TO-247-3
SIHD5N80AE-GE3
SIHD3N50DT4-GE3
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Vishay Siliconix
0
Em estoque
3.000 : $ 0,33700
Tubo
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
500 V
3A (Tc)
10V
3,2Ohm parpara 1,5A, 10V
5V a 250µA
12 nC @ 10 V
±30V
175 pF @ 100 V
-
69W (Tc)
-55°C a 150°C (TJ)
Montagem em superfície
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
SIHD5N80AE-GE3
SIHD3N50D-BE3
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Vishay Siliconix
0
Em estoque
3.000 : $ 0,33700
Tubo
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
500 V
3A (Tc)
10V
3,2Ohm parpara 1,5A, 10V
5V a 250µA
12 nC @ 10 V
±30V
175 pF @ 100 V
-
69W (Tc)
-55°C a 150°C (TJ)
Montagem em superfície
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Mostrando
de 3

FETs, MOSFETs individuais

Os transistores de efeito de campo (FETs) discretos são amplamente usados na conversão de energia, controle de motor, iluminação de estado sólido e outras aplicações em que suas capacidades características são vantajosas de serem ligados e desligados em altas frequências, enquanto transportam quantidades substanciais de corrente. Eles são usados quase universalmente para aplicações que exigem dimensionamentos de tensão de algumas centenas de volts ou menos, acima das quais outros tipos de dispositivos, como os IGBTs, se tornam mais competitivos.