Diodos individuais

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Tipos de diodos retificadores

    Diodos retificadores padrão
  • Diodos padrão (junção PN de silício) Os diodos padrão são o tipo mais básico de diodo retificador, feito de silício com uma junção PN. Eles são comumente usados em conversores CA-CC, retificação de energia e proteção de circuitos em geral. Esses diodos normalmente têm uma queda de tensão direta em torno de 0,7 V e são mais adequados para chaveamento de baixa frequência. Seu tempo de recuperação reversa (a rapidez com que eles param de conduzir quando desligados) é relativamente lento, o que limita seu uso em aplicações de alta velocidade. Eles também têm baixa corrente de fuga reversa, o que os torna confiáveis para operações em estado estacionário.

  • Diodos de barreira Schottky (SBD)
    Os diodos Schottky (SBDs) usam uma junção metal-semicondutor em vez de uma junção PN tradicional, resultando em velocidades de chaveamento mais rápidas e menores quedas de tensão direta, geralmente entre 0,2 V e 0,4 V. Isso os torna ideais para conversores CC-CC, fontes de alimentação de alta eficiência e circuitos onde minimizar a perda de energia é fundamental. No entanto, uma desvantagem dos SBDs é sua maior corrente de fuga reversa, especialmente em temperaturas elevadas, o que pode ser uma preocupação em dispositivos de precisão ou operados por bateria.

  • Retificadores Super Barreira (SBR)
    Os retificadores super barreira (SBRs) combinam as melhores características dos diodos padrão e dos diodos Schottky. Eles oferecem baixa queda de tensão direta, como os SBDs, mas com corrente de fuga reversa significativamente menor e melhor manuseio da tensão reversa. Os SBRs são adequados para chaveamento de conversores de energia, adaptadores e eletrônica automotiva, onde a eficiência energética e a estabilidade térmica são importantes. Eles geralmente são uma escolha melhor do que os diodos Schottky quando a aplicação envolve temperaturas ambientes mais altas ou transientes de tensão maiores.

  • Diodos de avalanche
    Os diodos de avalanche são projetados para operar de forma confiável no modo de ruptura reversa, onde conduzem corrente com segurança quando um limite específico de tensão reversa é excedido. Ao contrário dos diodos padrão que podem ser danificados por ruptura, os diodos de avalanche são construídos para lidar com essa condição de forma repetida e previsível.
    • Na retificação de chaveamento rápido, os diodos de avalanche às vezes são preferidos, em vez dos diodos PN padrão, devido ao seu comportamento aprimorado de recuperação reversa, que reduz as perdas de chaveamento e melhora a eficiência geral do conversor. Sua capacidade de suportar transientes de alta tensão reversa sem degradação os torna particularmente adequados para circuitos snubber, conversores flyback e topologias de difícil chaveamento.

  • Diodos de carbeto de silício (SiC)
    Os diodos SiC são construídos a partir de carbeto de silício, um material de ampla banda proibida que permite lidar com tensões muito altas (600 V e mais) e temperaturas extremas (>150°C). Eles são ideais para conversores industriais, carregadores de veículos elétricos, inversores solares e acionamentos de motor, especialmente em circuitos que exigem chaveamento rápido e tempo nulo de recuperação reversa. Embora sejam mais caros do que os diodos à base de silício, sua durabilidade e eficiência em altas tensões e frequências geralmente os tornam a melhor escolha de longo prazo em aplicações exigentes.