Equivalente paramétrico
Equivalente paramétrico



BSDH08G65E2 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 118-BSDH08G65E2-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | BSDH08G65E2 |
Descrição | DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 27 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Diodo 650 V 8A Furo passante TO-220-2 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Velocidade Tempo zero de recuperação > 500mA (Io) |
Fabricante | Tempo de recuperação reversa (trr) 0 ns |
Séries | Corrente - Fuga reversa para Vr 40 µA @ 650 V |
Embalagem Tubo | Capacitância para Vr, F 267pF a 1V, 1MHz |
Part Status Ativo | Tipo de montagem |
Tecnologia | Pacote / Invólucro |
Tensão - Reversa CC (Vr) (máx.) 650 V | Invólucro do dispositivo fornecido TO-220-2 |
Corrente - Média retificada (Io) 8A | Temperatura de operação - Junção -55°C a 175°C |
Tensão - Direta (Vf) (máx.) para If 1.7 V @ 8 A | Número base de produto |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| IDH08G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | 77 | 448-IDH08G65C5XKSA2-ND | $ 4,65000 | Equivalente paramétrico |
| UJ3D06508TS | onsemi | 27.243 | 5556-UJ3D06508TS-ND | $ 4,84000 | Equivalente paramétrico |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3.000 | $ 3,38934 | $ 10.168,02 |



