Pkg 5946
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SIE854DF-T1-GE3

Número de produto da Digi-Key
SIE854DF-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR)
SIE854DF-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT)
SIE854DF-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SIE854DF-T1-GE3
Fabricante
Descrição
MOSFET N-CH 100V 60A 10POLARPAK
Descrição detalhada
Canal N 100 V 60A (Tc) 5,2W (Ta), 125W (Tc) Montagem em superfície PolarPAK®-10 (Comp.)
Referência do cliente
Ficha técnica Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar
Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Situação da peça
Obsoleto
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
60A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
14,2mOhm a 13,2A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4,4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
3100 pF @ 50 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
5,2W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
PolarPAK®-10 (Comp.)
Pacote / Invólucro
PolarPAK®-10 (Comp.)
Número base de produto
Classificação de exportação e ambiental
AtributoDescrição
Situação da RoHSConformidade com ROHS3
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)1 (Unlimited)
Situação do REACH (regulamento de registro, avaliação, autorização e restrição de substâncias químicas)Não afetado por REACH
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Recursos adicionais
AtributoDescrição
Outros nomes
SIE854DF-T1-GE3CT
SIE854DF-T1-GE3DKR
SIE854DFT1GE3
SIE854DF-T1-GE3TR
Embalagem padrão3.000