TO-263AB
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IRF9520S

Número de produto da Digi-Key
IRF9520S-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
IRF9520S
Descrição
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Descrição detalhada
Canal P 100 V 6,8A (Tc) 3,7W (Ta), 60W (Tc) Montagem em superfície D²PAK (TO-263)
Referência do cliente
Ficha técnica Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar
Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
-
Embalagem
Tubo
Situação do produto
Obsoleto
Tipo de FET
Canal P
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
6,8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
600mOhm a 4,1A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
390 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
3,7W (Ta), 60W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
D²PAK (TO-263)
Pacote / Invólucro
TO-263-3, D²Pak (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto
Classificação de exportação e ambiental
AtributoDescrição
Situação da RoHSSem conformidade com RoHS
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)1 (Unlimited)
Situação do REACH (regulamento de registro, avaliação, autorização e restrição de substâncias químicas)Não afetado por REACH
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Recursos adicionais
AtributoDescrição
Outros nomes*IRF9520S
Embalagem padrão50