Name: STQ1HNK60R-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-15648-3-ND
Price: 1.05 USD
Availability: InStock

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STQ1HNK60R-AP
Número de produto da DigiKey	497-15648-1-ND - Fita cortada (CT) 497-15648-3-ND - Fita e caixa (TB)
Fabricante	STMicroelectronics
Número de produto do fabricante	STQ1HNK60R-AP
Descrição	MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Tempo de espera previsto do fabricante	13 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 400mA (Tc) 3W (Tc) Furo passante TO-92-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	STQ1HNK60R-AP Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	STMicroelectronics
Séries	SuperMESH™
Embalagem	Fita cortada (CT) Fita e caixa (TB)
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	400mA (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	8,5Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,7V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	156 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-92-3
Pacote / Invólucro	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número base de produto	STQ1HNK60