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100 1.54640 $154.64
500 1.27050 $635.25
1.000 1.05270 $1,052.70

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  • Preço unitário: $0.99000
  • Digi-Reel®  : 917-1081-6-ND
  • Quantidade mínima: 1
  • QUANTIDADE DISPONÍVEL: 33.376 - Imediato
  • Preço unitário: Digi-Reel®

EPC2007C

Ficha técnica
Número de peça da Digi-Key 917-1081-1-ND
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Fabricante

EPC

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Número de peça do fabricante EPC2007C
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Descrição GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
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Tempo de espera previsto do fabricante 12 semanas
Descrição detalhada

Canal N 100V 6A (Ta) Montagem em superfície Contorno da matriz (barra de 5 soldas)

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Referência do cliente
Documentos e mídia
Fichas técnicas EPC2007C
Módulos de treinamento sobre produtos eGaN® FET Reliability
Informações ambientais EPC RoHS3 Cert
EPC REACH211 Cert
Produto em destaque EPC Low Voltage eGaN® FETs
Wireless Power Solutions
Biblioteca de designs de referência EPC9006C: 7A, 0 ~ 100V, Half Bridge
PCN sobre origem/montagem Assembly Site 25/Jun/2021
Ficha técnica HTML EPC2007C
Modelos EDA / CAD EPC2007C by SnapEDA
EPC2007C by Ultra Librarian
Atributos de produto
TIPO Descrição SELECIONAR TUDO
Categorias
Fabricante EPC
Séries eGaN®
Embalagem Fita cortada (CT) 
Situação da peça Ativo
Tipo de FET Canal N
Tecnologia GaNFET (nitreto de gálio)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 6A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs 30mOhm a 6A, 5V
Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 1,2mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 2,2nC @ 5V
Vgs (máx.) +6V, -4V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 220pF @ 50V
Característica FET -
Dissipação de potência (máx.) -
Temperatura de operação -40°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido Contorno da matriz (barra de 5 soldas)
Pacote / Invólucro Matriz
Número de peça da base EPC2007
 
Classificação de exportação e ambiental
Situação da RoHS Conformidade com ROHS3
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (ilimitado)
Para uso com

EPC9006C

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Recursos adicionais
Embalagem padrão 1
Outros nomes 917-1081-1